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在以光電子、半導體等高技術為基礎的國防電子裝備制造領域，等離子表面清洗處理技術由于可以大幅度提高產品的可靠性得到了越來越廣泛的應用，并且隨著現代高科技的需要而不斷發(fā)展應用范圍和技術水平。其中微波等離子清洗設備更以其優(yōu)良的性能成為世紀國外軍事電子產品的主要生產裝置。微波等離子清洗工藝同時具有容易使用、維護及環(huán)保等優(yōu)點，已經成為提高產品可靠性和成品率的重要手段，是生產中不可缺少的步驟。在高可靠性要求的器件尤其是軍用器件生產過程中，微波等離子清洗機成為關鍵首選的設備。目前其應用主要表現在以下幾個方面。

（1）半導體制造的前端工藝上，刻蝕和離子注入后的去光刻膠步驟是部件生產中最重要和最頻繁使用的一步。根據部件的復雜程度，線路的層數可以達到到層。這就意味著光刻膠也需要被脫除同樣的次數。微波等離子體清洗設備產生的等離子體對產品沒有損害，且相比射頻等離子體具有更高的除膠率。

（2）半導體工業(yè)后端，芯片的封裝變得越來越關鍵，穩(wěn)步增加的速度和集成電路的效率依賴于可靠的芯片封裝和最優(yōu)化的芯片封裝工藝。特別對于一些新技術如多芯片模塊或銅導線框架等，微波等離子體設備已被芯片封裝廠所廣泛采用。

（3）新型的半導體材料如、等越來越引起人們的重視。這些新型材料具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波長發(fā)光及光電集成器件的理想材料。包括雷達、智能武器、電子對抗系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)在內的眾多軍事系統(tǒng)與民用產品的性能得到了極為明顯的改善。微波等離子清洗設備是目前采用代半導體材料如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵（GaN）等為基礎的軍用混合集成電路和半導體器件制備過程中的關鍵設備，同時也是國外采用的代半導體材料如碳化硅氮化鎵材料制造器件的關鍵設備。

綜上所述，微波等離子清洗方式大大改善了傳統(tǒng)的清洗模式，在射頻等離子清洗的基礎上，性能更加優(yōu)越。在各種電敏感元器件及軍用半導體行業(yè)清洗工藝方面得到了廣泛的應用，促進了電子行業(yè)技術的發(fā)展。展望未來，微波等離子清洗技術的發(fā)展前景是美好的。